도쿄대 연구진, DRAM 대비 1,000배 빠르고 발열 없는 차세대 스핀트로닉스 메모리 소자 개발
* 망간-주석 및 탄탈륨 적층 구조를 활용한 비휘발성 양자 스위칭 소자 개발 성공 * 기존 DRAM 대비 1,000배 빠른 40피코초의 초고속 스위칭 속도 달성 및 발열 문제의 획기적 해결 * 1,000억 회 이상의 반복 작동 테스트 통과를 통한 뛰어난 소자 내구성 및 안정성 검증 * 데이터센터 전력 소비량 99% 절감 가능성 제시 및 2030년 프로토타입 칩 개발 계획 수립