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• 삼성은 자사의 512GB eUFS 3.0 메모리가 8 개의 512Gb V-NAND 다이와 고성능 컨트롤러를 쌓아 놓았다고 밝혔습니다.
• 예를 들어, 풀 HD 영화를 스마트 폰에서 PC로 이동하는 데는 불과 3 초 밖에 걸리지 않습니다.
• eUFS 2.1 프로토콜에 비해 새로운 메모리 표준은 각각 63,000 및 68,000 IOPS (Input / Output Operations Per Per Second)로 무작위 읽기 및 쓰기 속도가 최대 36 % 빨라집니다.
• 이 옵션은 순차 읽기 속도가 초당 2,100MB로 두 배가되고 초당 410MB로 쓰기 속도를 향상시킵니다.
• 회사 측에 따르면 새로운 저장 솔루션의 읽기 속도는 일반적인 microSD 카드보다 20 배 빠르고 SATA 솔리드 스테이트 드라이브보다 4 배 빠릅니다.
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삼성전자, 순차 읽기 속도가 초당 2,100MB에 달하는 512GB 용량의 eUFS 3.0 메모리 칩 양산 시작https://t.co/zpocfgmbw3 pic.twitter.com/muOnlnzcPn
— H. Kim (@metavital) February 27, 2019
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Samsung's new 512GB flash chip is twice as fast as its predecessor - Engadget https://t.co/USruljlnck 東京都情報 https://t.co/sk9vJGS3Zu 天気はこちら https://t.co/xbJQCLiAvU
— 東京都情報bot (@news_tokyo_bot) February 27, 2019
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